삼극관의 기본 해석

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삼극관의 기본 해석

트랜지스터 [1](트랜지스터라고도 함)는 중국어로 3핀 증폭기를 가리키는 일반적인 용어입니다. 우리가 흔히 말하는 삼극관은 그림과 같이 여러 개의 장치일 수 있습니다.

삼극관이라고 부르지만 영어로 된 표현은 매우 다르다는 것을 알 수 있습니다. 삼극관이라는 용어는 실제로 중국어 고유의 은유적 어휘입니다.

"삼극관"(전자 트랜지스터) 이것은 영어-중국어 사전에서 "삼극관"의 유일한 영어 번역입니다. 이는 전자 삼극관의 초기 등장과 관련이 있다. 삼극관이라는 단어의 오리지널 아이템입니다. 중국어로 삼극관이라고 불리는 나머지 장치들은 실제로 번역하면 삼극관으로 번역될 수 없습니다.

전자 삼극관 삼극관(일반적으로 진공관으로 알려짐)

바이폴라 트랜지스터 BJT(바이폴라 접합 트랜지스터)

J형 전계 효과 트랜지스터 Junction Gate FET(Field Effect Transistor)

금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터

V형 트렌치 전계 효과 트랜지스터 VMOS(Vertical Metal Oxide Semiconductor)

참고: 세 가지 모두 FET인 것으로 보입니다. 실제로 MOSFET과 V채널 FET는 유니폴라이며 바이폴라에 해당합니다. 또한 유니폴라 접합 트랜지스터라고도 통칭할 수 있습니다.

J형 FET는 비절연 FET이고, MOS FET와 VMOS는 모두 절연 FET입니다.

VMOS는 MOS를 기반으로 개선된 새로운 유형의 고전류, 고배율(교차 채널) 전력 트랜지스터입니다. 차이점은 V자형 슬롯을 사용하여 MOS 트랜지스터의 증폭률과 작동 전류를 크게 높이는 데 사용되지만 그 역시 크게 증가한다는 점입니다. MOS의 입력 커패시턴스는 MOS 튜브의 고출력 개선 제품이지만 구조는 기존 MOS와 크게 다릅니다. VMOS는 기능만 향상되었으며 MOS 고유의 공핍 MOS 트랜지스터가 없습니다.