전계 효과 트랜지스터 수정 발진기

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전계 효과 트랜지스터 수정 발진기

전계 효과 트랜지스터 수정 발진기의 회로도가 그림에 나와 있습니다.

발진기는 51mhz(17mhz 3차 고조파) 크리스털에서 작동합니다. 다양한 구조에 따라 0.5-1.8pf를 드레인과 게이트 사이의 커패시턴스로 선택할 수 있습니다. L2 회전은 L1의 약 20%입니다. 발진 특성은 470Ω 소스 저항에 의해 변경될 수 있습니다.

① 극 사이의 용량. FET에는 3개의 전극간 용량이 있는데, 이는 게이트 소스 용량 CGS, 게이트 드레인 용량 CGD 및 소스 드레인 용량 CD입니다. CGS와 CGD는 일반적으로 {{0}}pf이고, CD는 약 0.1-1pf입니다.

② 최대 누설 전류 IDM.

FET의 드레인 소스를 통과할 수 있는 최대 전류를 나타냅니다.

③ FET의 소산 전력 PD.

FET가 작동할 때 소비되는 전력을 나타냅니다.

④ 저주파 잡음 계수 NF.

FET의 노이즈는 캐리어의 불규칙한 움직임으로 인해 발생합니다. 그것의 존재는 신호 입력이 없더라도 증폭기를 만들 것이며 출력 전압이나 전류에 불규칙한 변화가 있을 것입니다. FET의 저주파 잡음 계수는 반도체 삼극관의 저주파 잡음 계수보다 작습니다.