트랜지스터 구조 유형

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트랜지스터 구조 유형

트랜지스터는 반도체 기판 위에 서로 가깝게 배치된 두 개의 PN 접합으로 구성됩니다. 두 개의 PN 접합은 모놀리식 반도체를 세 부분으로 나누며, 중간 부분은 베이스 영역, 두 측면은 이미터 영역과 컬렉터 영역입니다. PNP와 NPN.

해당 전극은 각각 베이스 b 이미터 e와 컬렉터 c인 세 영역에서 가져옵니다.

이미터 영역과 베이스 영역 사이의 PN 접합을 이미터 접합이라 하고, 컬렉터 영역과 베이스 영역 사이의 PN 접합을 컬렉터 접합이라고 합니다. 베이스 영역은 매우 얇고, 이미터 영역은 두껍고, 불순물 농도가 높습니다. PNP형 삼극관 이미터 영역은 구멍에 의해 "방출"되고 이동 방향은 현재 방향과 일치하므로 이미터 화살표는 안쪽입니다. NPN형 트랜지스터 이미터 영역이 "실행"됩니다. "자유 전자는 전류의 반대 방향으로 이동하므로 이미터 화살표는 바깥쪽을 향합니다. 이미터 화살표는 순방향 전압에서 PN 접합의 전도 방향을 가리킵니다. 실리콘 트랜지스터와 게르마늄 트랜지스터는 모두 PNP형과 게르마늄 트랜지스터가 있습니다. NPN 유형.

트랜지스터 패키지 형태 및 핀 식별

일반적으로 사용되는 삼극관은 금속 및 플라스틱 패키지로 제공됩니다. 핀 배열에는 일정한 패턴이 있습니다.

아래쪽 보기 위치는 세 개의 핀이 왼쪽에서 오른쪽으로 ebc인 이등변 삼각형의 꼭지점을 형성하도록 배치됩니다. 중소 전력 플라스틱 삼극관의 경우 평면이 자체를 향하고 세 개의 핀이 아래를 향한 다음 왼쪽에서 오른쪽으로 ebc입니다.

국내에는 다양한 종류의 크리스털 3극관이 있으며, 핀 배열도 동일하지 않습니다. 핀이 배열된 삼극관을 사용하는 경우 각 핀의 정확한 위치를 결정하기 위해 측정을 수행해야 합니다. 또는 삼극관을 명확히 하기 위해 트랜지스터 설명서를 찾을 수 있습니다. 특성 및 해당 기술 매개변수 및 정보.