충전기에 대한 GAN 기술은 무엇입니까?

간단히 말해서,작은 몸에 높은 힘.

질화갈륨(GaN) 충전기는 International Consumer Electronics Show에서 큰 관심을 끌었으며, 이 현대적인 실리콘 대안은 더 작고 더 효율적인 충전기와 전원 공급 장치가 출시된다는 것을 의미합니다.

GaN 충전기는 실리콘 충전기보다 더 적은 구성 요소가 필요하지 않기 때문에 현재 충전기보다 물리적으로 작습니다. 이 물질은 시간이 지남에 따라 실리콘보다 훨씬 더 높은 전압을 전도할 수 있습니다. GaN 충전기는 전류 전달에 더 효과적일 뿐만 아니라 열로 손실되는 에너지도 적습니다. 따라서 구성요소가 장치에 에너지를 전달하는 데 더 효율적이면 일반적으로 필요한 구성요소 수가 더 적습니다. 결과적으로 기술이 널리 보급됨에 따라 GaN 전원 공급 장치 및 충전기는 크게 줄어들 것입니다. 스위칭 주파수가 높을수록 무선 전력 전송 속도가 빨라지는 등 다른 이점도 있습니다.

질화갈륨은 1990년대 LED 제조로 주목을 받은 반도체 소재다. GaN은 낮에도 볼 수 있는 최초의 백색 LED, 청색 레이저 및 풀컬러 LED 디스플레이를 만드는 데 사용되었습니다. Blu-ray DVD 플레이어에서 GaN은 DVD에서 데이터를 읽는 청색광을 생성합니다.

GaN은 곧 많은 분야에서 실리콘을 대체할 것으로 보입니다. 실리콘 제조업체는 실리콘 기반 트랜지스터를 개선하기 위해 수십 년 동안 쉬지 않고 노력해 왔습니다. 무어의 법칙에 따르면 집적 실리콘 회로의 트랜지스터 수는 약 2년마다 두 배로 늘어납니다. 이 관찰은 1965년에 이루어졌으며 지난 50년 동안 기본적으로 정확했습니다. 그러나 2010년에는 반도체 기술 발전이 처음으로 이 속도에 미치지 못했다. 많은 분석가(및 무어 자신)는 2025년이면 무어의 법칙이 쓸모 없게 될 것이라고 예측합니다.

GaN 트랜지스터의 생산량은 2006년에 증가했습니다. 제조 공정이 개선되었다는 것은 GaN 트랜지스터가 실리콘과 동일한 유형의 장비에서 제조될 수 있음을 의미합니다. 이를 통해 비용을 절감하고 더 많은 실리콘 제조업체가 GaN을 사용하여 트랜지스터를 생산하도록 장려할 수 있습니다.